東北大学ナノテク融合技術支援センター
Center for Integrated NanoTechnology Support
No. |
2-1 |
2-2 |
2-3 |
2-4 |
画像 |
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名称 |
リソグラフィ用両面アライナ | スピンナ |
TMAHエッチング装置 |
EDPエッチング装置 |
メーカー |
Suss Microtech, EVG |
- |
自作 |
自作 |
特徴 |
 2cm角2,3,4 inchウェハのフォトリソグラフィーが可能2.5, 3, 5inchマスク使用可能
裏面のリソグラフィー可能プロキシミティ露光対応
アライメント精度：1micron以内(表面)/5micron以内(裏面 |
フォトレジストの回転塗布が可能
バキュームチャック
最大6000rpm, タイマー付き |
Siの結晶異方性エッチングが可能
2cm角, 4 inchウェハ可能
エッチングレート500nm/min @ 70℃
SiO2 との選択比が高い(111)方向に, 僅かにエッチングされる |
Siの結晶異方性エッチングが可能
2cm角, 4 inchウェハ可能
エッチングレート1.0nm/min @ 90℃
SiO2 との選択比が高い
(111)方向に, 僅かにエッチングされる
高濃度BドープSiをほとんどエッチングしない
毒性(発ガン性)あり |
No. |
2-5 |
2-6 |
2-7 |
2-8 |
画像 |
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名称 |
KOHエッチング装置 |
酸化炉 |
ボロン拡散炉 |
陽極接合用ウェハボンダ |
メーカー |
自作 |
自作 |
自作 |
Suss Microtech,EVG （型式）SB6e |
特徴 |
Siの結晶異方性エッチングが可能
2cm角可能
エッチングレート1200nm/min @ 80℃
SiO2 との選択比が低い
(111)方向に, ほとんどエッチングされない
アルカリ汚染あり |
Siの湿式、乾式酸化が可能 2cm角のみ, (4 inchは別対応) 〜1200℃ |
SiへのB拡散可能 2cm角のみ, (4 inchは別対応) 〜1200℃ EDPエッチング(2-4)と組み合わせて、メンブレン構造を作製可能 |
陽極、共晶、直接接合が可能 2cm角, 4 inchウェハ対応〜500℃ 〜60,000N加圧 |
No. |
2-9 |
2-10 |
2-11 |
2-12 |
画像 |
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名称 |
RIE装置 |
スパッタ成膜装置 |
XeF2エッチング装置 |
CVD装置 |
メーカー |
自作, STS, アネルバ |
自作, アネルバ,JEOL 芝浦メカトロニク, 大阪真空機器製作所 |
自作 |
自作, サムコ
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型式 |
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特徴 |
Si, ガラス、水晶、薄膜金属などのドライエッチングが可能 Siの深堀り加工が可能（STS） |
金属、酸化物など様々な材料の成膜が可能 基板加熱または冷却が可能 |
Siの等方性ドライエッチングが可能 |
SiO2 ，SiNの成膜が可能
プラズマCVD, 常圧CVD, あるいは減圧CVD |
No. |
2-13 |
2-14 |
2-15 |
2-16 |
画像 |
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名称 |
電子線描画装置 |
研磨装置 |
めっき装置 |
レーザ加工装置 |
メーカー |
JEOL |
Logitech, ムサシノ電子 |
自作 |
自作
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特徴 |
詳細はお問い合わせください |
φ4 inchウェハまで対応 |
Ni, Au, Cuなどのめっきが可能 |
詳細はお問い合わせください |
